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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MCH6536-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MCH6536-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH6536-TL-E价格参考。ON SemiconductorMCH6536-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MCH6536-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MCH6536-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MCH6536-TL-E 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）阵列，采用SOT-563封装，内置两个独立的NPN晶体管，具有低饱和压降（VCE(sat)）、高直流电流增益（hFE）、小尺寸及高可靠性等特点。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的LED背光驱动、LED闪光灯控制或负载开关，利用其低导通损耗与快速开关特性实现高效驱动。 2. 接口电平转换与信号调理：在MCU或FPGA的GPIO扩展中，用作逻辑电平移位器或数字信号缓冲/反相，适配不同电压域（如1.8V/3.3V系统驱动5V负载）。 3. 小型电机/蜂鸣器驱动：驱动微型直流电机、振动马达或压电蜂鸣器，凭借阵列结构节省PCB面积，简化双路控制设计（如方向控制或PWM调制）。 4. 电池供电设备的负载切换：在IoT传感器节点或遥控器中，作为低功耗使能开关，控制外围模块（如RF模块、传感器）的供电通断，延长电池寿命。 5. 工业与消费类嵌入式系统：用于继电器驱动、光电耦合器输入级、编码开关去抖电路等中低功率模拟/数字接口场景。 该器件工作结温范围宽（–55°C 至 +150°C），符合AEC-Q101（车规级）标准，亦适用于部分车载信息娱乐系统辅助电路（非安全关键应用）。需注意其最大集电极电流为150mA/通道，不适用于大功率开关，设计时应合理配置基极限流电阻并留足热裕量。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 12V 0.5A 6MCPH |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MCH6536-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 10mA，200mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 300 @ 10mA，2V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 550mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 15V，12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | * |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 频率-跃迁 | * |
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