【未分类_MCH5802-TL-E】封装/厂家_MCH5802-TL-E中文资料_价格

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型号： MCH5802-TL-E
制造商： SANYO Semiconductor Company
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MCH5802-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH5802-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanyMCH5802-TL-E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MCH5802-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MCH5802-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MCH5802-TL-E 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道N沟道增强型MOSFET阵列，采用超小型DFN2020-6（2.0×2.0 mm）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅45 mΩ @ Vgs=4.5V）、快速开关特性及高集成度。其典型应用场景包括：  
1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、电池充放电路径控制及LED背光驱动，得益于小尺寸与低功耗优势；  
2. DC-DC转换器同步整流：在升压/降压模块中作为同步整流MOSFET，提升转换效率（尤其在1–3A中等电流应用）；  
3. 电机驱动与负载切换：用于微型直流电机（如振动马达、风扇）的H桥或半桥驱动，或I/O端口的高低侧负载开关；  
4. USB Type-C接口保护与切换：配合USB PD协议芯片，实现VBUS路径控制与过流保护；  
5. 工业与IoT传感器节点：在空间受限的无线传感模块中实现低功耗唤醒控制、外设供电管理等。  
该器件支持±12V栅极耐压，工作结温范围-55℃~150℃，符合AEC-Q101标准（车规级），亦可用于车载信息娱乐系统中的非安全关键负载控制。需注意其双MOSFET共源极结构，设计时应合理布局散热路径并避免交叉导通。

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