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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MC74VHCU04DR2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MC74VHCU04DR2G价格参考。ON SemiconductorMC74VHCU04DR2G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MC74VHCU04DR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MC74VHCU04DR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的MC74VHCU04DR2G是一款六路非施密特触发非门(Hex Unbuffered Inverter),属于逻辑 - 栅极和逆变器类别。该器件采用先进的CMOS工艺制造,具有宽电源电压工作范围(通常为1.65V至3.6V),支持低功耗运行,适用于电池供电或对能效要求较高的系统。 MC74VHCU04DR2G常用于需要信号整形、时钟缓冲、振荡电路构建以及电平转换的应用场景。由于其未缓冲设计,适合构建压控振荡器(VCO)、RC或LC振荡电路,广泛应用于通信设备、便携式电子产品、消费类电子(如智能手机、平板电脑)中的定时与控制模块。此外,该芯片也可用于驱动晶体振荡器或作为模拟放大器的组成部分。 其无施密特触发功能使其响应速度快,适合高频信号处理,但对输入噪声较敏感,因此适用于信号较干净的环境。器件采用SOIC-14封装(DR2G表示卷带包装),便于自动化贴片生产,适合高密度PCB布局。 综上,MC74VHCU04DR2G主要应用于便携式设备、通信模块、工业控制及各类需要低功耗、高性能反相逻辑功能的电子系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC INVERTER HEX UNBUFF 14-SOIC |
产品分类 | 逻辑 - 栅极和逆变器 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MC74VHCU04DR2G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 74VHCU |
不同V、最大CL时的最大传播延迟 | 7ns @ 5V,50pF |
供应商器件封装 | 14-SOICN |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
标准包装 | 2,500 |
特性 | - |
电压-电源 | 2 V ~ 5.5 V |
电流-输出高,低 | 8mA,8mA |
电流-静态(最大值) | 2µA |
电路数 | 6 |
输入数 | 6 |
逻辑电平-低 | 0.3V |
逻辑电平-高 | 1.7V |
逻辑类型 | 反相器 |