Datasheet下载- 型号： MBD770DWT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MBD770DWT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBD770DWT1G价格参考。ON SemiconductorMBD770DWT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MBD770DWT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MBD770DWT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MBD770DWT1G是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款射频二极管，属于肖特基势垒二极管。该器件广泛应用于射频和微波电路中，具有低正向压降、快速开关速度和良好的高频性能。 其主要应用场景包括： 1. 射频检波电路：用于将射频信号转换为直流电压，常见于无线接收设备中作为信号强度检测。 2. 射频开关：在需要高频信号切换的电路中，如天线切换、射频前端模块中，MBD770DWT1G可作为控制元件。 3. 混频器与调制解调电路：在通信系统中，用于频率转换和信号调制解调，尤其适用于低功率射频应用。 4. 保护电路：用于防止射频功率放大器或其他敏感器件因过载或反向信号而损坏。 5. 无线基础设施设备：如基站、中继器等设备中的射频控制与信号处理模块。 6. 测试与测量设备：在射频测试仪器中用于信号检测、校准和控制。 该器件采用SOT-323封装，体积小、便于表面贴装，适合高密度PCB布局，适用于工作频率高达GHz级别的射频系统。由于其良好的高频特性和可靠性，广泛应用于通信、工业和消费类射频电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY DUAL 70V SOT-363肖特基二极管与整流器 70V 120mW Dual Isolated |
| 产品分类 | RF 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor MBD770DWT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MBD770DWT1G |
| 不同 If、F时的电阻 | - |
| 不同 Vr、F时的电容 | 1pF @ 20V，1MHz |
| 二极管类型 | 肖特基 - 2 个独立式 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品种类 | Diodes- Schottky |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其它名称 | MBD770DWT1GOSCT |
| 功率耗散（最大值） | 380mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-88 |
| 峰值反向电压 | 70 V |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 125 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 0.2 uA at 35 V |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 1 V at 0.01 A |
| 正向连续电流 | 0.01 A |
| 电压-峰值反向（最大值） | 70V |
| 电流-最大值 | 100mA |
| 系列 | MBD770DW |
| 配置 | Dual Anti-Parallel |
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