Datasheet下载- 型号： MAPRST0912-350
- 制造商： M/A-COM
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MAPRST0912-350由M/A-COM设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MAPRST0912-350价格参考。M/A-COMMAPRST0912-350封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MAPRST0912-350参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MAPRST0912-350 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 350W 960MHZ-1215MHZ射频双极晶体管 960-1215MHz 350W Gain: 9.4dB min |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | MACOMM/A-Com Technology Solutions |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,MACOM MAPRST0912-350- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MAPRST0912-350MAPRST0912-350 |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | - |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | - |
| 其它名称 | 1465-1133 |
| 功率-最大值 | 350W |
| 功率耗散 | 1.34 kW |
| 包装 | 托盘 |
| 发射极-基极电压VEBO | 3 V |
| 商标 | MACOM |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | 9.4dB |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | - |
| 封装/箱体 | Ceramic |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 最大工作频率 | 1.215 GHz |
| 标准包装 | 6 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 65V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 32.5A |
| 类型 | RF Bipolar Power |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 65 V |
| 集电极连续电流 | 32.5 A |
| 频率 | 1.215 GHz |
| 频率-跃迁 | 1.215GHz |
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