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  • 型号: MAP6KE9.1AE3
  • 制造商: MICRO-SEMI
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MAP6KE9.1AE3由MICRO-SEMI设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MAP6KE9.1AE3价格参考。MICRO-SEMIMAP6KE9.1AE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MAP6KE9.1AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MAP6KE9.1AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

电路保护

描述

TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

产品分类

TVS - 二极管

品牌

Microsemi HI-REL [MIL]

数据手册

http://www.microsemi.com/index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=9518

产品图片

产品型号

MAP6KE9.1AE3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同频率时的电容

-

供应商器件封装

T-18

其它名称

1086-4614

功率-峰值脉冲

600W

包装

散装

单向通道

1

双向通道

-

安装类型

通孔

封装/外壳

T-18,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

应用

通用

标准包装

1

电压-击穿(最小值)

8.65V

电压-反向关态(典型值)

7.78V

电压-箝位(最大值)@Ipp

13.4V

电流-峰值脉冲(10/1000µs)

45A

电源线路保护

类型

齐纳

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