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  • 型号: LM285D1.2R2G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供LM285D1.2R2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 LM285D1.2R2G价格参考。ON SemiconductorLM285D1.2R2G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载LM285D1.2R2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有LM285D1.2R2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

LM285D1.2R2G 是安森美(ON Semiconductor)推出的精密低压差(Low-Dropout)带隙电压基准芯片,输出基准电压为1.235 V(典型值),初始精度±0.5%,温漂低至约50 ppm/°C,工作电流仅10 µA~20 mA,采用SOIC-8封装。

其主要应用场景包括:  
1. 便携式与电池供电设备:如手持仪表、传感器节点、IoT终端等,得益于超低静态电流和宽输入电压范围(1.6V–20V),可延长电池寿命;  
2. 精密模拟前端(AFE)参考源:为ADC、DAC、传感器信号调理电路(如压力、温度传感器)提供稳定、低噪声的基准电压,提升测量精度;  
3. 可调电源反馈网络:在DC-DC转换器(如LDO或开关稳压器)中作为TL431替代方案,配合外部电阻设定输出电压,增强系统灵活性与稳定性;  
4. 工业控制与过程监测:用于4–20 mA环路变送器、PLC模拟输入模块等对长期稳定性与温度适应性要求较高的场合;  
5. 校准与测试设备:作为低成本、高性价比的基准源,用于便携式校准仪或嵌入式自检电路。

该器件无需外部电容即可稳定工作,抗噪声能力强,适合空间受限且对功耗与精度均有要求的中高端嵌入式系统。
产品参数 图文手册 常见问题
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