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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供KST55MTF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KST55MTF价格参考。Fairchild SemiconductorKST55MTF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载KST55MTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有KST55MTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KST55MTF 是安森美(ON Semiconductor)推出的通用NPN型双极结型晶体管(BJT),采用SOT-23表面贴装封装,具有小尺寸、高可靠性及优良的开关与放大特性。其典型应用场景包括: 1. 低功率开关电路:适用于便携式设备(如蓝牙耳机、智能手表、遥控器)中的LED驱动、蜂鸣器控制、信号通断等中低速开关应用(fₜ ≈ 100 MHz,满足一般逻辑电平切换需求)。 2. 信号放大与电平转换:常用于微控制器(MCU)I/O口驱动能力扩展,如将3.3V/5V逻辑信号放大以驱动继电器、光耦或更高负载;亦可用于模拟前端中的小信号预放大(如传感器信号调理)。 3. 电源管理辅助电路:在DC-DC转换器或LDO稳压器中用作使能控制、电压检测比较器输出级或基准偏置电路。 4. 消费电子与工业控制板卡:因SOT-23封装节省空间、支持回流焊,广泛用于紧凑型PCB设计,如家电主控板、电机驱动板的保护/指示电路。 需注意:KST55MTF为通用型器件(Ic=500mA,VCEO=60V,hFE=100–300),不适用于大电流、高压或高频射频场景;设计时应留足裕量,避免接近最大额定值,并注意热管理。数据手册建议工作结温≤150°C,典型应用中无需额外散热片。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 60V 500MA SOT-23两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor KST55MTF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | KST55MTF |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 10mA,100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 50 @ 100mA,1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 其它名称 | KST55MTFDKR |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 60 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | - 4 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 50 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 350 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 60V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 50 |
| 系列 | KST55 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.25 V |
| 集电极连续电流 | - 0.5 A |
| 频率-跃迁 | 50MHz |