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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供KSE800S由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSE800S价格参考。Fairchild SemiconductorKSE800S封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载KSE800S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有KSE800S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KSE800S 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款高频NPN型双极结型晶体管(BJT),主要用于功率放大和开关应用。其应用场景主要包括以下几个方面: 1. 射频(RF)功率放大器:KSE800S适用于高频工作环境,常用于通信设备中的射频信号放大,如无线基站、广播发射设备等。 2. 音频功率放大器:该晶体管具备良好的线性特性和高电流承载能力,适合用于高品质音频放大系统中,如音响设备、专业功放等。 3. 电源开关电路:由于其较高的耐压和大电流特性,也可应用于DC-DC转换器、电机驱动、继电器控制等开关电路中。 4. 工业控制系统:在需要高频响应和稳定性的工业自动化设备中,KSE800S可作为关键的功率控制元件。 总结来说,KSE800S凭借其高频性能与高可靠性,广泛应用于通信、音频设备、电源管理和工业控制等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 60V 4A TO-126 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | KSE800S |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 2.5V @ 30mA,1.5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 750 @ 1.5A,3V |
| 供应商器件封装 | TO-126 |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 60V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 4A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100µA |
| 频率-跃迁 | - |