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详细数据请看参考数据手册
- 型号： KSD5018TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供KSD5018TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSD5018TU价格参考。Fairchild SemiconductorKSD5018TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载KSD5018TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有KSD5018TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KSD5018TU 是 Fairchild Semiconductor（现属ON Semiconductor）推出的NPN型中功率双极结型晶体管（BJT），采用TO-220封装，具备高电流增益（hFE典型值100–300）、连续集电极电流IC达3A、集电极-发射极击穿电压VCEO为120V，且具有良好的开关与线性放大特性。 其典型应用场景包括： 1. 中小功率开关电源：用作PWM控制电路中的主开关或驱动级晶体管，适用于AC-DC适配器、LED驱动电源等； 2. 电机驱动电路：在直流有刷电机（如家电、电动工具）的H桥或单路驱动中，承担通断控制与电流放大功能； 3. 继电器/电磁阀驱动：作为接口器件，将微控制器（如MCU、PIC）的弱驱动信号放大，可靠驱动感性负载； 4. 音频与工业线性放大：在低频、中功率模拟电路中用于信号预放大或输出级（需注意散热设计）； 5. 逆变器与UPS辅助电路：在保护、检测及栅极驱动等子模块中提供电平转换与电流增强功能。 该器件具有内置基极-发射极电阻（RBE≈1kΩ），便于直接由逻辑电平驱动，简化外围电路。实际应用中需注意PCB散热设计（TO-220需配合适当散热片）、避免二次击穿，并确保工作点处于安全工作区（SOA）内。因其停产已久（Fairchild于2016年并入ON Semi），现多用于工业设备维护或替代设计参考，新项目建议选用ON Semi同规格升级型号（如MJD122/MJD127系列或FZT系列）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 275V 4A TO-220 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | KSD5018TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.5V @ 20mA，3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | - |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 275V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 4A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1mA |
| 频率-跃迁 | - |
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