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详细数据请看参考数据手册
- 型号： KSD1273QYDTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供KSD1273QYDTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSD1273QYDTU价格参考。Fairchild SemiconductorKSD1273QYDTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载KSD1273QYDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有KSD1273QYDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KSD1273QYDTU 是安森美（ON Semiconductor）推出的NPN型双极结型晶体管（BJT），采用SOT-23表面贴装封装，具有高增益（hFE典型值180–390）、低饱和压降（VCE(sat)低至0.25V @ IC=100mA）和良好频率响应（fT约150MHz），适用于中低功率开关与线性放大场景。 典型应用场景包括： 1. 小信号开关控制：如微控制器（MCU）IO口驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或逻辑电平转换电路； 2. 电源管理模块：用于DC-DC转换器中的基准电流源、使能控制（EN/SS引脚缓冲）、负载开关或LDO辅助电路； 3. 传感器信号调理：在温度、光敏等模拟前端中作简易放大级或电流镜单元； 4. 消费电子与便携设备：手机、TWS耳机、智能穿戴等对尺寸和功耗敏感的设备中，实现紧凑高效的分立式开关功能； 5. 工业控制接口：PLC输入隔离、光电耦合器后级驱动、数字信号电平适配等。 其SOT-23封装支持自动化贴片生产，热性能稳定（Ptot=350mW），工作结温范围宽（-55℃~+150℃），适合空间受限且需可靠性的中低频应用。不推荐用于高频射频或大电流（>200mA连续）场景——此时应选用MOSFET或更高规格器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 60V 3A TO-220F两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor KSD1273QYDTU- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | KSD1273QYDTU |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 50mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 500 @ 500mA，4V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 30 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220F-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 2000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 3A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100µA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 2500 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 500 |
| 系列 | KSD1273 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1 V |
| 集电极连续电流 | 3 A |
| 零件号别名 | KSD1273QYDTU_NL |
| 频率-跃迁 | 30MHz |
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