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- 型号： JM38510/23104BFA
- 制造商： National Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供JM38510/23104BFA由National Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 JM38510/23104BFA价格参考。National SemiconductorJM38510/23104BFA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载JM38510/23104BFA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有JM38510/23104BFA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
JM38510/23104BFA 是一款符合美军标（MIL-STD-883）的高速双极型静态随机存取存储器（SRAM），属于“-”品牌（即无商业品牌标识，通常指美国军用标准通用器件，由多家合格厂商如Texas Instruments、Fairchild、Renesas等按规范生产）。其分类为存储器，具体为1K × 4位（共4Kbit）异步SRAM，具备抗辐照、宽温工作（–55℃～+125℃）、高可靠性及低功耗特性。 主要应用场景集中于高可靠性军工与航天电子系统： - 军用嵌入式系统：用于战术通信设备、火控计算机、雷达信号处理单元中的高速缓存或暂存缓冲； - 航空航天电子：搭载于卫星姿态控制系统、飞行控制计算机及遥测数据采集模块，承担关键实时数据暂存任务； - 核工业与深空探测设备：凭借其抗单粒子翻转（SEU）能力与辐射加固设计，适用于强辐射环境下的数据存储； - 关键基础设施备份系统：如军用加密设备、安全启动ROM的配套RAM，保障启动过程中的临时变量与密钥缓存安全可靠。 该器件不适用于商用消费电子或普通工业场景，因其成本高、功耗相对较大且需严格筛选与测试。典型应用强调确定性时序、零故障率要求及长期稳定性，是传统航天/国防电子中经典可靠的SRAM选型之一。
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