Datasheet下载- 型号： JANTX1N6106US
- 制造商： MICRO-SEMI
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供JANTX1N6106US由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 JANTX1N6106US价格参考。MICRO-SEMIJANTX1N6106US封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载JANTX1N6106US参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有JANTX1N6106US 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Littelfuse子公司）的JANTX1N6106US是一款瞬态电压抑制器（TVS）二极管，主要用于电路中的过电压保护。该器件符合军用标准（JANTX等级），适用于对可靠性要求较高的应用场景。 主要应用场景包括： 1. 航空航天与国防电子设备： JANTX1N6106US具备高可靠性和稳定性，适合用于航空电子、卫星通信系统和军事控制系统等对元器件质量等级要求严格的领域。 2. 工业控制系统： 在PLC（可编程逻辑控制器）、工业传感器和自动化设备中，该TVS二极管可用于吸收静电放电（ESD）、雷击浪涌或开关噪声引起的瞬态电压，保护关键IC和电路。 3. 通信设备： 适用于路由器、交换机和基站等通信基础设施，防止因瞬态电压造成的信号接口损坏，如RS-232、RS-485和以太网端口的保护。 4. 电源模块与电源适配器： 可用于输入/输出端口的电压钳位保护，提升电源系统的稳定性和使用寿命。 5. 测试与测量仪器： 在高精度仪表和测试设备中，保护敏感模拟和数字电路免受外部电压瞬变干扰。 该器件采用密封封装（如TO-436或类似金属封装），具备良好的环境适应性和长期稳定性，特别适合在高温、振动等恶劣条件下使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 7.6VWM BSQMELF |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/127892-lds-0277-1 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | JANTX1N6106US |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | B, SQ-MELF |
| 其它名称 | 1086-2501 |
| 功率-峰值脉冲 | 500W |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SQ-MELF， B |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 9.03V |
| 电压-反向关态（典型值） | 7.6V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 15.23V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 32.78A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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