Datasheet下载- 型号： JANTX1N6105US
- 制造商： MICRO-SEMI
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供JANTX1N6105US由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 JANTX1N6105US价格参考。MICRO-SEMIJANTX1N6105US封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载JANTX1N6105US参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有JANTX1N6105US 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Littelfuse子公司）的JANTX1N6105US是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管，主要用于电路中保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）、雷击浪涌、电感负载切换等引起的瞬态电压冲击。 该型号属于军用等级器件（JANTX代表美军标准陶瓷封装等级），具备高可靠性和稳定性，适用于对可靠性要求极高的应用场景。其主要应用包括： 1. 通信设备：用于保护通信接口（如RS-232、RS-485、以太网等）免受外部电磁干扰或雷击造成的瞬态电压损害。 2. 工业控制系统：在PLC、变频器、传感器等设备中，防止因开关操作或电机启停产生的高压脉冲损坏控制模块。 3. 航空航天与国防系统：凭借其JANTX军规等级，广泛应用于航空电子、雷达、导航系统和军事通信设备中，确保极端环境下稳定运行。 4. 测试与测量仪器：用于示波器、万用表等精密仪器输入端口的过压保护，保障设备安全与测量精度。 5. 电源管理系统：在电源输入端作为初级保护器件，吸收瞬态能量，防止后级电路受损。 综上，JANTX1N6105US因其高可靠性和优异的瞬态抑制能力，特别适用于军工、航天、工业及高端电子设备中的关键保护电路。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 6.9VWM BSQMELF |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/127892-lds-0277-1 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | JANTX1N6105US |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | B, SQ-MELF |
| 其它名称 | 1086-2498 |
| 功率-峰值脉冲 | 500W |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SQ-MELF， B |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 8.22V |
| 电压-反向关态（典型值） | 6.9V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 14.07V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 35.44A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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