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- 型号： JANM38510/29103BYA
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供JANM38510/29103BYA由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 JANM38510/29103BYA价格参考。HarrisJANM38510/29103BYA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载JANM38510/29103BYA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有JANM38510/29103BYA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
JANM38510/29103BYA 是 Harris Corp.（现为 L3Harris Technologies 旗下）生产的军用级高速静态随机存取存储器（SRAM），符合 MIL-PRF-38535 标准，属“JAN”（Joint Army-Navy）认证器件，具备抗辐射、宽温（–55°C 至 +125°C）、高可靠性与长生命周期特性。其典型容量为 2K × 8 位（16Kb），采用双极工艺，访问时间约 25 ns。 主要应用场景集中于高可靠性和极端环境下的嵌入式系统： - 航空航天领域：用于卫星星载计算机、飞行控制单元（FCU）、姿态确定与控制系统（ADCS）中的缓存或寄存器堆，因其抗总剂量辐射（TID）和单粒子翻转（SEU）能力满足航天任务要求； - 国防电子系统：装备于军用雷达信号处理器、电子战（EW）设备、导弹制导计算机及战术通信终端，承担实时数据暂存与指令缓冲任务； - 核工业与深空探测：适用于强辐射或超低温环境下的关键控制模块，如核反应堆监测系统、行星着陆器主控单元等。 该器件已停产多年，目前多用于在役武器平台的备件保障与寿命延寿项目，强调可追溯性、批次一致性及全生命周期支持，不适用于商用消费类或普通工业场景。
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