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  • 型号: J176_D74Z
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供J176_D74Z由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 J176_D74Z价格参考。Fairchild SemiconductorJ176_D74Z封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载J176_D74Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有J176_D74Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

J176_D74Z 是安森美(ON Semiconductor)生产的 P 沟道结型场效应晶体管(JFET),属于耗尽型器件,常用于低噪声、小信号模拟应用。其典型应用场景包括:

- 音频前置放大器与缓冲器:凭借高输入阻抗(>10⁹ Ω)和低栅极电流特性,适合麦克风输入级、吉他拾音器缓冲电路等,可有效避免信号衰减和失真。

- 模拟开关与多路复用器:作为电压控制的无源开关,适用于低频信号通断(如传感器信号选通),尤其在低功耗便携设备中表现稳定。

- 恒流源/电流镜电路:利用其耗尽型特性(VGS=0 时即导通),可简易构建偏置电流源,用于运放偏置、LED驱动或传感器激励电路。

- 射频/中频小信号放大:在AM收音机、低频RF前端等对噪声敏感的场合,J176 的低噪声系数(典型0.5–2 dB)优于多数MOSFET。

- 工业传感与仪器仪表:用于高阻抗传感器(如pH电极、光电二极管)的接口电路,提供高保真信号调理。

注意:J176_D74Z 非功率器件,最大漏源电压仅30 V,连续漏极电流约10 mA,不适用于开关电源、电机驱动或大电流负载。设计时需注意其负向栅压控制特性(关断需施加负VGS),并确保工作点处于线性区或饱和区以满足功能需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

JFET P-CH 30V 350MW TO92JFET P-Channel Switch

产品分类

JFET(结点场效应分离式半导体

FET类型

P 沟道

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,JFET,Fairchild Semiconductor J176_D74Z-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

J176_D74Z

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

不同Id时的电压-截止(VGS关)

1V @ 10nA

不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)

2mA @ 15V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

JFET

供应商器件封装

TO-92-3

其它名称

J176_D74Z-ND
J176_D74ZTB

功率-最大值

350mW

包装

带盒(TB)

单位重量

55 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Ammo Pack

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线

封装/箱体

TO-92-3 Kinked Lead

工厂包装数量

2000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

2,000

漏极电流(Id)-最大值

-

漏源极电压(Vdss)

-

电压-击穿(V(BR)GSS)

30V

电阻-RDS(开)

250 欧姆

系列

J176

配置

Single

闸/源击穿电压

30 V

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