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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供J176_D74Z由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 J176_D74Z价格参考。Fairchild SemiconductorJ176_D74Z封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载J176_D74Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有J176_D74Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
J176_D74Z 是安森美(ON Semiconductor)生产的 P 沟道结型场效应晶体管(JFET),属于耗尽型器件,常用于低噪声、小信号模拟应用。其典型应用场景包括: - 音频前置放大器与缓冲器:凭借高输入阻抗(>10⁹ Ω)和低栅极电流特性,适合麦克风输入级、吉他拾音器缓冲电路等,可有效避免信号衰减和失真。 - 模拟开关与多路复用器:作为电压控制的无源开关,适用于低频信号通断(如传感器信号选通),尤其在低功耗便携设备中表现稳定。 - 恒流源/电流镜电路:利用其耗尽型特性(VGS=0 时即导通),可简易构建偏置电流源,用于运放偏置、LED驱动或传感器激励电路。 - 射频/中频小信号放大:在AM收音机、低频RF前端等对噪声敏感的场合,J176 的低噪声系数(典型0.5–2 dB)优于多数MOSFET。 - 工业传感与仪器仪表:用于高阻抗传感器(如pH电极、光电二极管)的接口电路,提供高保真信号调理。 注意:J176_D74Z 非功率器件,最大漏源电压仅30 V,连续漏极电流约10 mA,不适用于开关电源、电机驱动或大电流负载。设计时需注意其负向栅压控制特性(关断需施加负VGS),并确保工作点处于线性区或饱和区以满足功能需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | JFET P-CH 30V 350MW TO92JFET P-Channel Switch |
| 产品分类 | JFET(结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | P 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,Fairchild Semiconductor J176_D74Z- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | J176_D74Z |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 不同Id时的电压-截止(VGS关) | 1V @ 10nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 2mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它名称 | J176_D74Z-ND |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 带盒(TB) |
| 单位重量 | 55 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Ammo Pack |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 Kinked Lead |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 30V |
| 电阻-RDS(开) | 250 欧姆 |
| 系列 | J176 |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 30 V |