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- 型号： J111RLRAG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供J111RLRAG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 J111RLRAG价格参考。ON SemiconductorJ111RLRAG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载J111RLRAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有J111RLRAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 J111RLRAG 是一款 N 沟道结型场效应晶体管（JFET），常用于低噪声、中速开关及模拟信号调理场景。其典型应用包括：音频前置放大器（利用JFET高输入阻抗与低噪声特性，提升信噪比）；电压控制电阻/可变增益放大器（通过栅极偏置调节沟道电阻，实现增益线性控制）；脉冲整形与波形生成电路（如弛张振荡器、定时器）；传感器信号调理（如压电传感器、麦克风接口，因其高输入阻抗可避免负载效应）；以及电源管理中的基准电流源或恒流源电路（利用其饱和区良好的电流源特性）。J111RLRAG 采用 SOT-23 小型表面贴装封装，适合空间受限的便携式设备；其额定漏源电压（V₃₃ₛ）为 35 V，连续漏极电流（I₃）达 50 mA，功耗低（Pᴅ = 350 mW），适用于电池供电的低功耗系统。注意：该器件为通用型JFET，不适用于高频射频（RF）或大功率开关场景。实际设计中需合理设置偏置点（通常自偏置或分压偏置），并注意温度对夹断电压（Vₚ）的影响。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 35V 350MW TO92 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | J111RLRAG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 3V @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 20mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 35V |
| 电阻-RDS（开） | 30 欧姆 |
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