【未分类_J111,126】封装/厂家_J111,126中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： J111,126
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供J111,126由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 J111,126价格参考。NXP SemiconductorsJ111,126封装/规格：未分类，暂无。您可以下载J111,126参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有J111,126 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc.（原飞利浦半导体，后被恩智浦收购）生产的J111,126是一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），常用于低噪声、中频模拟信号处理场景。其典型应用包括：  
1. 音频前置放大器：凭借高输入阻抗（>10⁹ Ω）和低栅极电流特性，适合麦克风、电吉他拾音器等高阻抗信号源的缓冲与初级放大，有效减少信号衰减；  
2. 电压控制电阻（VCR）电路：利用其可变沟道电阻特性，用于压控增益调节、自动增益控制（AGC）或模拟乘法器等线性应用；  
3. 射频/中频放大与混频：在AM收音机、短波接收机等低频至中频（DC–5 MHz）电路中作小信号放大或混频级，具有较低的噪声系数（典型值约10 dB）；  
4. 模拟开关与多路复用器：在低速、低功耗模拟信号切换电路中替代机械开关，实现无触点、低失真切换；  
5. 传感器接口电路：如光电二极管、热电堆等微弱电流信号的跨阻放大前端，发挥其高输入阻抗与低偏置电流优势。  

需注意：J111为通用型JFET，非高频/功率器件，不适用于开关电源或大电流驱动；实际设计中应关注其最大漏源电压（Vₐₛₛ = 35 V）、连续漏极电流（I_D = 30 mA）及结温限制（T_j = 150°C），并合理设置偏置点以保障线性度与稳定性。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	JFET N-CH 40V 400MW TO92-3
产品分类	JFET（结点场效应
FET类型	N 沟道
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	J111,126
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的电压-截止（VGS关）	10V @ 1µA
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)	20mA @ 15V
不同Vds时的输入电容(Ciss)	6pF @ 10V（VGS）
供应商器件封装	TO-92-3
其它名称	568-5810-1 J111126
功率-最大值	400mW
包装	剪切带（CT）
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
标准包装	1
漏极电流(Id)-最大值	-
漏源极电压(Vdss)	40V
电压-击穿(V(BR)GSS)	40V
电阻-RDS（开）	30 欧姆