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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IXTF1N250
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTF1N250由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTF1N250价格参考。IXYSIXTF1N250封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTF1N250参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTF1N250 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1 A |
| Id-连续漏极电流 | 1 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET 2500V 1A HV Power MOSFET |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTF1N250 |
| 产品型号 | IXTF1N250 |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 41 nC |
| Qg-栅极电荷 | 41 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 40 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 40 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 2.5 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 2.5 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 39 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 132 ns |
| 商标 | IXYS |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 40 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | ISOPLUS i4-PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 1.8 mS |
| 汲极/源极击穿电压 | 2.5 kV |
| 漏极连续电流 | 1 A |
| 系列 | IXTF1N250 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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