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  • 型号: IXT-1-1N100S1-TR
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXT-1-1N100S1-TR由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXT-1-1N100S1-TR价格参考。IXYSIXT-1-1N100S1-TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXT-1-1N100S1-TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXT-1-1N100S1-TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

IXYS

数据手册

产品图片

产品型号

IXT-1-1N100S1-TR

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

-

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

-

供应商器件封装

8-SOIC

功率-最大值

-

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

1000V(1kV)

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.5A (Tc)

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