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  • 型号: IXFC20N80P
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFC20N80P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFC20N80P价格参考。IXYSIXFC20N80P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFC20N80P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFC20N80P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXFC20N80P是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率MOSFET器件,广泛应用于需要高效功率转换和控制的电子设备中。该器件具有20A连续漏极电流和800V漏源击穿电压,适用于高电压、中等功率的应用场景。

主要应用场景包括:

1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC整流器等,用于高效能电能转换。

2. 电机驱动系统:用于工业自动化、电机控制及变频器中,作为功率开关元件,实现对电机速度与扭矩的精确控制。

3. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和逆变器中作为核心开关元件,实现直流电到交流电的转换。

4. 照明系统:应用于高强度放电灯(HID)、LED驱动电源等高效照明系统中。

5. 新能源领域:如太阳能逆变器、风能转换系统中,用于能量转换与调节。

该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性,适合高频开关应用,有助于提高系统效率并减少散热需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS220

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

IXYS

数据手册

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产品图片

产品型号

IXFC20N80P

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

PolarHV™ HiPerFET™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 4mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4680pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

85nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

500 毫欧 @ 10A,10V

供应商器件封装

ISOPLUS220™

功率-最大值

166W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

ISOPLUS220™

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

800V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

11A (Tc)

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