Datasheet下载- 型号： IXBT2N250
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXBT2N250由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXBT2N250价格参考。IXYSIXBT2N250封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXBT2N250参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXBT2N250 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXBT2N250是一款高压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单体MOSFET/IGBT类别，具有高耐压、低导通电阻和优良的开关性能。该器件额定电压高达2500V，适用于高电压、大功率的应用场景。 主要应用场景包括： 1. 高压电源系统：广泛用于工业高压直流电源、激光电源、X射线发生器等需要稳定输出数千伏电压的设备中，作为核心开关元件。 2. 电能变换与逆变器：在太阳能逆变器、风力发电变流器及不间断电源（UPS）中，用于高效电能转换和功率调节。 3. 感应加热与电磁炉：在高频感应加热设备中，IXBT2N250可实现快速开关，提高加热效率，适用于工业加热和高端家用电器。 4. 电机驱动：用于高压交流或直流电机控制，如工业电机驱动器、电动汽车辅助系统等，提供可靠的大电流开关能力。 5. 脉冲功率系统：应用于雷达、医疗设备、粒子加速器等需要瞬间释放高能量的脉冲功率装置中。 6. 电力输配与固态断路器：在智能电网和高压开关设备中，用于快速切断故障电流，提升系统安全性和响应速度。 由于其高耐压和良好的热稳定性，IXBT2N250适合工作在恶劣环境和长时间高负载条件下，是工业级高功率电子系统的理想选择。使用时需注意散热设计与驱动电路匹配，以确保可靠运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | - |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 13A |
| 描述 | IGBT 2500V 5A 32W TO268 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 10.6nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXBT2N250 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | BIMOSFET™ |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | - |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 3.5V @ 15V，2A |
| 供应商器件封装 | TO-268 |
| 功率-最大值 | 32W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 920ns |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 2500V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 5A |
| 输入类型 | 标准 |
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