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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ISL9N308AS3ST由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ISL9N308AS3ST价格参考。Fairchild SemiconductorISL9N308AS3ST封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ISL9N308AS3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ISL9N308AS3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ISL9N308AS3ST 是瑞萨电子(Renesas)推出的高性能N沟道增强型MOSFET,采用SOT-23-3(S3)小型表面贴装封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值约1.8Ω @ Vgs=10V)、低栅极电荷(Qg≈5.5nC)和快速开关特性。其额定电压为30V,连续漏极电流ID为8A(脉冲可达24A),适合中低功率、高效率、空间受限的应用场景。 典型应用场景包括: ✅ 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、USB端口保护及电池充放电路径控制; ✅ DC-DC转换器次级侧同步整流:在降压(Buck)或升降压(Buck-Boost)转换器中替代肖特基二极管,提升转换效率与热性能; ✅ LED驱动电路:用于背光调光或RGB LED的PWM高速开关控制; ✅ 电机驱动模块:适用于小型直流有刷电机(如微型风扇、振动马达)的H桥或单路驱动; ✅ 热插拔/电源排序电路:凭借低阈值电压(Vgs(th) 1.0–2.5V)和良好栅极驱动兼容性,易于被低压逻辑(如3.3V MCU GPIO)直接驱动。 该器件具备ESD保护(HBM 2kV),工作结温范围-55℃~+150℃,符合RoHS标准,兼顾可靠性与小型化需求,广泛用于消费电子、工业控制及物联网终端等对尺寸、能效和成本敏感的领域。