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- 型号： ISL9N303AS3
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ISL9N303AS3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ISL9N303AS3价格参考。Fairchild SemiconductorISL9N303AS3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ISL9N303AS3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ISL9N303AS3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ISL9N303AS3 是由 Fairchild Semiconductor（现属onsemi）推出的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 SOT-23 封装，具有低导通电阻（Rds(on) 典型值 3.3Ω @ Vgs=10V）、低栅极电荷（Qg≈4.5nC）及快速开关特性。其额定电压为30V，连续漏极电流 ID 为3.3A（Tc=25°C），适用于空间受限、中低功率的便携式与嵌入式系统。 典型应用场景包括： ✅ DC-DC 电源转换：作为同步降压（Buck）转换器中的高边或低边开关，用于智能手机、平板电脑、USB PD 电源适配器等高效、小尺寸电源模块； ✅ 负载开关（Load Switch）：用于主板/模块的上电时序控制、电源域隔离及热插拔保护，利用其低阈值和快速关断特性实现精准供电管理； ✅ LED 驱动电路：在背光驱动或指示灯控制中用作恒流调节开关，配合PWM调光； ✅ 电池供电设备保护电路：如电子保险丝（eFuse）、过流/短路保护模块中的主控开关； ✅ 工业与消费类传感器接口、电机驱动（微型直流电机/振动马达）等小功率开关应用。 该器件具备良好的热性能（SOT-23封装支持适度功耗）和ESD防护能力（HBM ≥2kV），适合高可靠性、高集成度的便携式电子产品设计。需注意其栅极驱动电压建议≥4.5V以确保充分导通，并在PCB布局中优化散热与寄生电感。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | ISL9N303AS3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7000pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 172nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.2 毫欧 @ 75A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-262AA |
| 功率-最大值 | 215W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 400 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
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