Datasheet下载- 型号： ISL9N302AP3
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ISL9N302AP3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ISL9N302AP3价格参考。Fairchild SemiconductorISL9N302AP3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ISL9N302AP3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ISL9N302AP3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ISL9N302AP3 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，具有 300V 耐压、2.5A 连续漏极电流（ID）、典型导通电阻 RDS(on) 仅 1.4Ω（VGS=10V），具备快速开关特性与低栅极电荷（Qg≈12nC），并内置ESD保护和雪崩额定能力。 其主要应用场景包括： ✅ 中功率开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、LED驱动电源中的初级侧开关或次级同步整流控制； ✅ 工业控制设备：用于PLC输出模块、继电器替代、电机启停控制等中频（≤100kHz）开关场合； ✅ 照明系统：高压LED恒流驱动电路中的调光开关或PWM控制管； ✅ 电池管理系统（BMS）与电源保护电路：作为反向电压/过流保护的主开关器件； ✅ 消费类电子辅助电源：如电视、机顶盒待机电源的高压侧开关。 该器件强调可靠性与热稳定性，适合需兼顾耐压、效率与成本的中功率离线式应用。注意：实际设计中需配合合理驱动（≥10V栅极电压）、PCB散热设计及RC缓冲电路以抑制开关振铃。不适用于高频谐振拓扑（如LLC）或大电流连续导通场景（建议ID >5A时选并联或多管方案）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ISL9N302AP3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11000pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 300nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.5 毫欧 @ 75A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 345W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 400 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
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