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产品简介:
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型号为IS63WV1288DBLL-10TLI的存储器,属于ISSI(Integrated Silicon Solution Inc)公司生产的高速静态随机存取存储器(SRAM),其主要参数包括:容量为128K x 8位,高速访问时间为10ns,采用LLP(小型封装)封装,适用于工业级温度范围(-40℃至+85℃)。该器件常用于对速度和稳定性要求较高的场景。 其典型应用场景包括: 1. 网络设备:如路由器、交换机等,用于缓存高速数据包,提升数据转发效率。 2. 工业控制:在PLC、工控机中作为高速缓存或临时数据存储,保障实时响应。 3. 通信设备:用于基站、传输设备中,支持高速信号处理与暂存。 4. 汽车电子:如车载信息娱乐系统、ADAS辅助驾驶系统中,满足高可靠性与温度适应性需求。 5. 测试与测量仪器:用于示波器、逻辑分析仪等设备中,支持快速数据采集与处理。 该SRAM无需刷新,具备低延迟和高可靠性,适合需要快速随机访问和持续数据吞吐的应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC SRAM 1MB 10NS 32TSOP |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IS63WV1288DBLL-10TLI |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 32-TSOP II |
包装 | 托盘 |
存储器类型 | SRAM - 异步 |
存储容量 | 1M (128K x 8) |
封装/外壳 | 32-SOIC(0.400",10.16mm 宽) |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 117 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 1.65 V ~ 2.2 V |
速度 | 10ns |