Datasheet下载- 型号： IS61WV6416DBLL-10BLI
- 制造商： ISSI
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IS61WV6416DBLL-10BLI由ISSI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IS61WV6416DBLL-10BLI价格参考。ISSIIS61WV6416DBLL-10BLI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IS61WV6416DBLL-10BLI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IS61WV6416DBLL-10BLI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IS61WV6416DBLL-10BLI是ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的一款高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为64K x 16位（即1兆比特），访问速度为10纳秒。该器件属于高性能异步SRAM，广泛应用于对数据读写速度和稳定性要求较高的嵌入式系统与工业设备中。 典型应用场景包括：网络通信设备（如路由器、交换机）中的数据缓存；工业控制与自动化系统中的实时数据存储；测试测量仪器中的高速数据采集缓冲；以及医疗电子、军事和航空航天等领域的嵌入式控制系统。此外，该芯片也常用于需要快速响应的消费类电子产品和汽车电子模块中，例如车载信息终端或高级驾驶辅助系统（ADAS）中的临时数据存储。 IS61WV6416DBLL-10BLI采用低功耗设计，工作电压为3.3V，具备高可靠性和宽温工作范围（工业级温度-40°C至+85°C），适合严苛环境下的稳定运行。其小型化的BLL封装有利于节省PCB空间，适用于紧凑型设备设计。由于其异步接口简单易用，兼容性强，常作为微处理器、DSP或FPGA系统的外部高速缓存或数据缓冲单元，提升整体系统性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC SRAM 1MB 8NS 48BGA静态随机存取存储器 1M, 2.5-3.6V, 10ns 64Kx16 Asynch 静态随机存取存储器 |
| 产品分类 | 存储器集成电路 - IC |
| 品牌 | ISSI |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 内存,静态随机存取存储器,ISSI IS61WV6416DBLL-10BLI- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IS61WV6416DBLL-10BLI |
| 产品种类 | 静态随机存取存储器 |
| 供应商器件封装 | 48-TFBGA（6x8） |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | ISSI |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 64 kbit |
| 存储类型 | Asynchronous CMOS |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | 48-TFBGA |
| 封装/箱体 | BGA-48 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 工厂包装数量 | 480 |
| 接口 | 并联 |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最大工作电流 | 50 mA |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 480 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.4 V ~ 3.6 V |
| 电源电压-最大 | 3.6 V |
| 电源电压-最小 | 2.4 V |
| 类型 | Asynchronous Static RAM |
| 系列 | IS61WV6416DBLL |
| 组织 | 64 k x 16 |
| 访问时间 | 10 ns |
| 速度 | 10ns |
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