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产品简介:
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ISSI(Integrated Silicon Solution Inc)的IS43R16160D-6BLI-TR是一款高速CMOS动态随机存取存储器(DRAM),属于异步模式的16M x16位结构,广泛应用于需要高性能和高可靠性的电子设备中。该型号的典型应用场景包括: 1. 网络设备:如路由器、交换机等,用于数据缓存和快速转发,满足通信系统对高带宽和低延迟的需求。 2. 工业控制设备:在PLC、工业计算机或自动化系统中,作为临时数据存储器,支持实时数据处理与缓存。 3. 消费类电子产品:如高端平板、智能电视或机顶盒,用于提升图形处理能力和系统运行效率。 4. 汽车电子系统:车载信息娱乐系统(IVI)、驾驶辅助系统(ADAS)等,对存储器的稳定性和环境适应性要求较高。 5. 通信模块:无线基站、光模块或5G通信设备中,支持高速数据传输与缓冲。 该DRAM具备低功耗、高集成度和宽温工作范围(工业级温度),适合复杂环境下的长期稳定运行,是高性能嵌入式系统的优选存储方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC DDR 256M 166MHZ 60FBGA |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IS43R16160D-6BLI-TR |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 60-TFBGA (8x13) |
包装 | 带卷 (TR) |
存储器类型 | DDR SDRAM |
存储容量 | 256M (16M x 16) |
封装/外壳 | 60-TFBGA |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 2,500 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 2.3 V ~ 2.7 V |
速度 | 166MHz |