Datasheet下载- 型号： IS43DR86400C-3DBLI-TR
- 制造商： ISSI
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IS43DR86400C-3DBLI-TR由ISSI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IS43DR86400C-3DBLI-TR价格参考。ISSIIS43DR86400C-3DBLI-TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IS43DR86400C-3DBLI-TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IS43DR86400C-3DBLI-TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ISSI（Integrated Silicon Solution Inc）的IS43DR86400C-3DBLI-TR是一款低功耗、高性能的DRAM存储器芯片，广泛应用于对存储性能和功耗有较高要求的电子设备中。 该芯片的主要应用场景包括： 1. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑和智能穿戴设备，适用于需要大容量缓存和快速数据处理的场合。 2. 网络与通信设备：用于路由器、交换机、基站等通信基础设施中，支持高速数据传输和临时数据存储。 3. 工业控制与自动化系统：在工业计算机、PLC控制器、人机界面（HMI）等设备中，提供稳定可靠的数据缓存支持。 4. 汽车电子系统：适用于车载信息娱乐系统（IVI）、高级驾驶辅助系统（ADAS）等，满足汽车环境对温度和可靠性的严苛要求。 5. 安防监控设备：如高清摄像头、DVR/NVR录像设备，用于视频流的缓存与处理。 该芯片采用FBGA封装，具备良好的散热性能和空间利用率，适合高密度电路设计。其低功耗特性也有助于延长便携设备的电池续航时间。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DDR2 512M 333MHZ 60BGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IS43DR86400C-3DBLI-TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 60-TWBGA (10.5x8) |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | DDR2 SDRAM |
| 存储容量 | 512M（64M x 8） |
| 封装/外壳 | 60-TFBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 333MHz |
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