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产品简介:
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ISSI(Integrated Silicon Solution Inc)的IS42VM16160E-75BLI是一款高性能的CMOS静态随机存取存储器(SRAM),主要应用于需要高速数据访问和高可靠性的场景。该器件容量为256K x 16位,访问时间仅为7.5ns,支持低功耗模式,采用工业级温度范围(-40°C至+85°C),适用于严苛环境下的稳定运行。 典型应用场景包括: 1. 网络设备:用于路由器、交换机等设备中的高速缓存,提升数据转发效率; 2. 工业控制:在PLC、工业计算机中作为快速存储单元,用于实时数据处理; 3. 通信系统:应用于基站、无线接入设备中,支持高频次数据读写; 4. 汽车电子:用于车载控制系统、ADAS模块等,满足汽车环境对稳定性和可靠性的高要求; 5. 测试与测量设备:在示波器、逻辑分析仪等仪器中作为高速数据缓存; 6. 医疗设备:用于影像处理、监护设备中,保障数据实时性与准确性。 该SRAM具备高性能与高稳定性,广泛适用于对速度与可靠性要求较高的嵌入式系统与通信设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SDRAM 256M 133MHZ 54BGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IS42VM16160E-75BLI |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 54-TFBGA(8x8) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | 移动 SDRAM |
| 存储容量 | 256M (16M x 16) |
| 封装/外壳 | 54-TFBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 348 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 速度 | 133MHz |