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  • 型号: IRL3705NSTRL
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRL3705NSTRL由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL3705NSTRL价格参考。International RectifierIRL3705NSTRL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRL3705NSTRL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRL3705NSTRL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRL3705NSTRL的晶体管属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)- 单个类型。该器件是一种N沟道增强型逻辑电平MOSFET,具有低导通电阻、高效率和快速开关特性。

 应用场景包括:

1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等场合,因其低Rds(on)可减少功率损耗,提高能效。
2. 电机控制:广泛用于直流电机驱动、电动工具及机器人控制系统中,具备良好的电流承载能力和响应速度。
3. 汽车电子:由于其具备工业级可靠性,常用于车载电源系统、车身控制模块及LED照明驱动等应用场景。
4. 消费类电子产品:如笔记本电脑、电源适配器、充电器等便携设备中的功率开关元件。
5. 工业自动化:在PLC(可编程逻辑控制器)、继电器替代电路以及传感器驱动电路中实现高效开关控制。

综上,IRL3705NSTRL适用于需要高效、快速开关及节能设计的多种功率电子系统中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

International Rectifier

数据手册

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产品图片

产品型号

IRL3705NSTRL

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

HEXFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3600pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

98nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

10 毫欧 @ 46A,10V

供应商器件封装

D2PAK

功率-最大值

3.8W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

800

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

89A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irl3705ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irl3705ns.spi

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