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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRL3705NSTRL由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL3705NSTRL价格参考。International RectifierIRL3705NSTRL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRL3705NSTRL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRL3705NSTRL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRL3705NSTRL的晶体管属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)- 单个类型。该器件是一种N沟道增强型逻辑电平MOSFET,具有低导通电阻、高效率和快速开关特性。 应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等场合,因其低Rds(on)可减少功率损耗,提高能效。 2. 电机控制:广泛用于直流电机驱动、电动工具及机器人控制系统中,具备良好的电流承载能力和响应速度。 3. 汽车电子:由于其具备工业级可靠性,常用于车载电源系统、车身控制模块及LED照明驱动等应用场景。 4. 消费类电子产品:如笔记本电脑、电源适配器、充电器等便携设备中的功率开关元件。 5. 工业自动化:在PLC(可编程逻辑控制器)、继电器替代电路以及传感器驱动电路中实现高效开关控制。 综上,IRL3705NSTRL适用于需要高效、快速开关及节能设计的多种功率电子系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRL3705NSTRL |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3600pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 98nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10 毫欧 @ 46A,10V |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 3.8W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 89A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irl3705ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irl3705ns.spi |