图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRFW630BTM_FP001
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFW630BTM_FP001由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFW630BTM_FP001价格参考。Fairchild SemiconductorIRFW630BTM_FP001封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFW630BTM_FP001参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFW630BTM_FP001 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFW630BTM_FP001 是 Fairchild Semiconductor（现属onsemi）推出的N沟道功率MOSFET单管（非阵列），型号命名存在常见误解：其后缀“_FP001”为封装/产线代码，实际为TO-247封装的单通道高压MOSFET（VDSS = 900 V，ID = 6.5 A，RDS(on) ≈ 1.2 Ω），不属于MOSFET阵列产品（如双、六通道集成器件）。因此，“分类为晶体管 - FET，MOSFET - 阵列”与该型号不符。 其典型应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：用于AC-DC适配器、PC ATX电源、LED驱动器中的PFC（功率因数校正）升压开关或主功率开关； - 工业控制：继电器替代、电机启停控制、电磁阀驱动等中频（≤100 kHz）、高电压隔离场合； - 照明电子：高压LED恒流驱动电路中的高频斩波开关； - 家电与白色家电：微波炉磁控管驱动、空调压缩机辅助控制等需耐高压、抗dv/dt干扰的场景。 该器件具备快速开关特性、增强型体二极管及良好雪崩耐量，适用于硬开关拓扑。但因其单管结构、相对较高的导通电阻和开关损耗，不适用于高密度、低电压、大电流同步整流或多相并联等需阵列化设计的应用。用户选型时应核对官方数据手册（DS-IRFW630B-D），避免误判封装或通道数。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFW630BTM_FP001 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 720pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 400 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Tc） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
IRFW630BTM_FP001 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商