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  • 型号: IRFU9310PBF
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFU9310PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFU9310PBF价格参考。VishayIRFU9310PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFU9310PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFU9310PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix品牌的IRFU9310PBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,其主要应用场景包括:

1. 开关电源(SMPS):该器件因其低导通电阻(Rds(on))和高效率的开关特性,适合用于开关电源中的功率开关。它能够快速切换以实现高效的电压转换。

2. 电机驱动:在小型直流电机驱动中,IRFU9310PBF可以作为功率开关使用,控制电机的启动、停止和速度调节。其低导通电阻有助于减少功耗并提高系统效率。

3. 负载开关:在便携式电子设备中,如智能手机、平板电脑等,该MOSFET可以用作负载开关,动态地接通或断开电路中的不同部分,从而优化功耗管理。

4. 电池管理:应用于电池保护电路中,用于防止过充、过放以及短路等情况。它的低导通电阻有助于降低电池连接时的电压降,延长电池使用寿命。

5. LED驱动器:在LED照明应用中,此MOSFET可用于PWM调光控制或其他形式的电流调节,确保LED亮度稳定且节能高效。

6. DC-DC转换器:作为同步整流器的一部分,在降压或升压型DC-DC转换器中发挥重要作用,提升转换效率并减少热量产生。

7. 信号放大与缓冲:虽然主要用于功率处理,但在某些情况下也可用作信号级放大或缓冲元件,特别是在需要较低输出阻抗的应用场合。

总之,IRFU9310PBF凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛适用于消费类电子产品、工业自动化设备及通信基础设施等领域中的各种功率控制和转换任务。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 400V 1.8A I-PAKMOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1.8 A

Id-连续漏极电流

1.8 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFU9310PBF-

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产品型号

IRFU9310PBFIRFU9310PBF

Pd-PowerDissipation

50 W

Pd-功率耗散

50 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

7 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

7 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 400 V

Vds-漏源极击穿电压

- 400 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

10 ns

下降时间

24 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

270pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

13nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7 欧姆 @ 1.1A,10V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-251AA

其它名称

*IRFU9310PBF

典型关闭延迟时间

25 ns

功率-最大值

50W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

封装/箱体

IPAK-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

75

漏源极电压(Vdss)

400V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.8A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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