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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1061DV33-10ZSXI由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1061DV33-10ZSXI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1061DV33-10ZSXI封装/规格:存储器, SRAM - 异步 存储器 IC 16Mb (1M x 16) 并联 10ns 54-TSOP II。您可以下载CY7C1061DV33-10ZSXI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY7C1061DV33-10ZSXI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1061DV33-10ZSXI是赛普拉斯半导体公司(Cypress Semiconductor Corp)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM),属于低功耗、高性能的CMOS异步SRAM器件。其容量为64K × 16位(即1Mbit),工作电压为3.3V,访问时间低至10纳秒,适用于对速度和稳定性要求较高的应用场景。 该器件广泛应用于通信设备,如网络交换机、路由器中的数据缓存与临时存储;工业控制领域,用于PLC(可编程逻辑控制器)、工业自动化系统中实时数据处理;以及测试测量仪器,如示波器、逻辑分析仪等需要快速读写存储的设备。此外,也常见于医疗电子、航空航天和军事电子系统中,因其具备高可靠性与宽温工作能力(工业级温度范围),适合严苛环境下的稳定运行。 CY7C1061DV33-10ZSXI采用小型化封装(如SOJ或TSOP),便于在空间受限的电路板上布局,同时支持异步接口,兼容多种微处理器和控制器,易于系统集成。由于其无需刷新、响应速度快的特点,在需要持续高速数据吞吐而不允许延迟的应用中具有明显优势。 综上,该型号SRAM主要适用于高速缓存、实时数据采集与处理、嵌入式系统及工业与通信领域的关键存储模块。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC SRAM 16MBIT 10NS 54TSOP静态随机存取存储器 16Mb 10ns 3.3V 1Mx16 Fast Async 静态随机存取存储器 |
| 产品分类 | 存储器集成电路 - IC |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 内存,静态随机存取存储器,Cypress Semiconductor CY7C1061DV33-10ZSXI- |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=31922 |
| 产品型号 | CY7C1061DV33-10ZSXI |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 静态随机存取存储器 |
| 供应商器件封装 | 54-TSOP II |
| 其它名称 | 428-2960-5 |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Cypress Semiconductor |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 16M (1M x 16) |
| 存储类型 | SDR |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | 54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
| 封装/箱体 | TSOP-54 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 工厂包装数量 | 108 |
| 接口 | 并联 |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最大工作电流 | 175 mA |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 108 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 电源电压-最大 | 3.6 V |
| 电源电压-最小 | 3 V |
| 类型 | Asynchronous |
| 系列 | CY7C1061DV33 |
| 组织 | 1 M x 16 |
| 访问时间 | 10 ns |
| 速度 | 10ns |