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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR4105PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR4105PBF价格参考。International RectifierIRFR4105PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFR4105PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR4105PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFR4105PBF(Infineon Technologies)是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用DPAK(TO-252)表面贴装封装,具有42V漏源电压(VDS)、76A连续漏极电流(ID,TC=25°C)、低导通电阻(RDS(on)典型值仅11.5mΩ @ VGS=10V),并具备快速开关特性和强雪崩耐量。 其主要应用场景包括: ✅ DC-DC电源转换:广泛用于中功率同步整流BUCK变换器、POL(Point-of-Load)模块及通信电源,提升效率与功率密度; ✅ 电机驱动:适用于中小功率直流电机、步进电机及风扇控制电路(如服务器散热系统、家电电机驱动),支持PWM高频调速; ✅ 负载开关与电源管理:用作电子保险丝、热插拔保护、电池供电设备的主/辅电源开关,凭借低RDS(on)减小压降与温升; ✅ 照明驱动:LED恒流驱动电路中的开关管,尤其适用于12–24V输入的LED路灯或工业照明电源; ✅ 逆变与半桥拓扑:常作为半桥下管(low-side switch)用于小型逆变器、UPS和电动工具驱动板。 该器件符合RoHS标准,具备良好的热性能(RθJC=1.8°C/W),适合高可靠性、中等功率、高频开关场景。注意:实际应用中需合理设计栅极驱动(避免振荡)、PCB散热焊盘及过流/过热保护机制。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 27A DPAKMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 22.7nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 25 A |
| Id-连续漏极电流 | 25 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR4105PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR4105PBF |
| Pd-PowerDissipation | 48 W |
| Pd-功率耗散 | 48 W |
| Qg-GateCharge | 22.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 22.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 45 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 45 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 49 ns |
| 下降时间 | 40 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 45 毫欧 @ 16A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 31 ns |
| 功率-最大值 | 68W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 27A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr4105.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr4105.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |