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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRFR220119
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR220119由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR220119价格参考。HarrisIRFR220119封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR220119参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR220119 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Harris Corporation（哈里斯公司）本身并不生产IRFR220119型号的MOSFET。该型号实际由国际整流器公司（International Rectifier，IR）设计与制造（IR于2015年被英飞凌Infineon收购）。IRFR220119是单N沟道增强型逻辑电平Power MOSFET（非阵列），采用DPAK（TO-252）封装，额定参数为：VDS = 220 V，ID = 11 A（TC = 25°C），RDS(on) ≈ 0.18 Ω（VGS = 10 V），具备快速开关、低导通损耗和雪崩耐受能力。 需特别澄清：IRFR220119不是MOSFET阵列，而是单管器件；其命名中“220119”为IR内部批次/版本代码，并非标准型号后缀（标准型号为IRFR220B或IRFR220N，IRFR220119可能是特定产线或客户定制编码，但电气特性与IRFR220系列一致）。 典型应用场景包括： - 中小功率DC-DC转换器（如工业电源、通信设备二次侧同步整流或开关管）； - 电机驱动电路（如直流风扇、步进电机的H桥下臂开关）； - LED恒流驱动与调光控制； - 电池管理系统（BMS）中的充放电保护开关； - UPS、逆变器等电力电子设备中的高频开关单元。 因其逻辑电平驱动特性（VGS(th)低至2–4 V），可直接由MCU/驱动IC（3.3 V或5 V）控制，简化外围电路。注意：使用时需确保PCB散热设计充分（DPAK封装依赖PCB铜箔散热），并加入栅极电阻抑制振荡。 （注：Harris曾涉足半导体，但未量产该型号；当前市场流通的IRFR220119均为Infineon或授权代理商供货。）
产品参数
图文手册
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