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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRFP341
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP341由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP341价格参考。HarrisIRFP341封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFP341参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFP341 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Harris Corporation（哈里斯公司）本身并不生产IRFP341型号的MOSFET。IRFP341是由国际整流器公司（International Rectifier，简称IR，2015年被英飞凌Infineon收购）设计和制造的N沟道增强型功率MOSFET。Harris Corporation主营通信、电子战、航空航天与国防系统，不涉足分立功率半导体制造；其产品目录中无IRFP341，该型号亦非Harris品牌器件。 IRFP341典型参数：耐压VDS = 200 V，连续漏极电流ID = 21 A（TC=25°C），RDS(on) ≈ 0.12 Ω，TO-247封装。其应用场景主要包括： - 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流； - DC-DC变换器（如工业电源、服务器电源）； - 电机驱动电路（如直流有刷电机、步进电机的H桥驱动）； - 不间断电源（UPS）和逆变器中的功率级； - 焊接设备、电镀电源等中功率工业控制装置。 需注意：若在某文档或渠道中见到“Harris Corporation IRFP341”，极可能是误标、混淆（如将使用Harris系统的整机所用元器件张冠李戴），或为非授权分销商错误标注。选型时请以Infineon官方数据手册为准，并优先通过正规授权渠道采购。 （字数：298）
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