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- 型号： IRFD9123
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFD9123由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFD9123价格参考。VishayIRFD9123封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFD9123参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFD9123 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFD9123 是 Vishay Siliconix（现属Vishay集团）推出的P沟道增强型功率MOSFET，采用DPAK（TO-252）表面贴装封装，具有-100V耐压、-1.8A连续漏极电流（Tc=25℃）、典型Rds(on)为1.2Ω（Vgs = -10V），具备快速开关特性与内置ESD保护。 其主要应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：常用于反激式、Buck-Boost等拓扑中的同步整流或高压侧开关（如负压输出级）； 2. 电机控制：适用于小型直流电机的H桥驱动电路中作为上臂P-MOS开关，实现低功耗关断与简单栅极驱动（无需电平移位）； 3. 电源管理与负载开关：在工业控制板、通信设备电源模块中用作电源通断控制（Power ORing、热插拔保护）； 4. 电池供电系统：如便携仪器、POS终端中用于电池反接保护或备用电源切换； 5. LED驱动与背光控制：在中低压LED恒流驱动电路中作为调光/使能开关。 该器件因DPAK封装散热性能良好、可靠性高，且P沟道结构简化了高压侧驱动设计，特别适合空间受限、需中等功率（<10W）、工作电压≤100V的嵌入式及工业电源应用。注意其栅极阈值电压（Vgs(th) ≈ -2V至-4V）需确保驱动信号足够负以充分导通，避免线性区功耗过大。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IRFD9123 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 390pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 600 毫欧 @ 600mA，10V |
| 供应商器件封装 | 4-HVMDIP |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1A （Ta） |
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