图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFD323由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFD323价格参考。HarrisIRFD323封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFD323参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFD323 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFD323 是由 Harris Semiconductor(后被 Intersil 收购,现属 Renesas)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 DIP-8(双列直插式)封装,具有 100V 漏源耐压、4.5A 连续漏极电流(Tc=25℃)、低导通电阻(Rds(on) 典型值约 0.27Ω)及快速开关特性。 其典型应用场景包括: ✅ 中小功率开关电源:如 AC-DC 适配器、离线式反激变换器中的主开关管或同步整流驱动; ✅ 电机控制电路:用于直流有刷电机的 PWM 调速、H 桥驱动(需搭配逻辑电平兼容驱动电路); ✅ 继电器/电磁阀驱动:替代机械继电器,实现固态开关,提升可靠性与寿命; ✅ LED 调光与恒流驱动:在中等功率 LED 照明系统中作 PWM 开关元件; ✅ 工业控制板与嵌入式系统:作为微控制器(如 5V 或 12V 逻辑电平)直接或经简单缓冲驱动的功率输出级,适用于负载电流 ≤4A 的场合。 注意:IRFD323 属逻辑电平兼容型(Vgs(th) 为 2–4V),可被 5V TTL/CMOS 信号有效驱动,但需确保栅极驱动能力充足以减少开关损耗;DIP-8 封装利于散热与手工焊接,适合原型开发及中小批量工业设备。 (字数:398)