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  • 型号: IRFD113PBF
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFD113PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFD113PBF价格参考。VishayIRFD113PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFD113PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFD113PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix品牌的IRFD113PBF是一款N沟道功率MOSFET,主要应用于需要高效开关和低导通损耗的场景。以下是其典型应用场景:

1. 开关电源(SMPS):  
   IRFD113PBF适用于各种开关电源设计,包括AC-DC和DC-DC转换器。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少功率损耗,提高转换效率。

2. 电机驱动:  
   该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,提供高效的开关控制。其快速开关速度和低功耗特性适合电机启动、停止及调速等操作。

3. 负载切换与保护:  
   在消费电子、工业设备或通信系统中,IRFD113PBF可作为负载切换开关,用于动态管理不同负载状态,同时提供过流保护功能。

4. 电池管理系统(BMS):  
   该MOSFET可用于电池组的充放电控制电路中,实现对电流的精确调节以及短路保护等功能。

5. 逆变器与UPS系统:  
   IRFD113PBF在不间断电源(UPS)和逆变器中发挥关键作用,用于将直流电转换为交流电,支持高效能量传输。

6. LED驱动电路:  
   在高亮度LED照明应用中,这款MOSFET能够实现恒流驱动和调光控制,确保LED稳定工作并延长寿命。

7. 音频放大器:  
   作为音频功率放大器中的输出级开关元件,IRFD113PBF可以提供低失真性能和良好的热稳定性。

总之,IRFD113PBF凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于消费类电子产品、工业自动化、通信基础设施等领域,满足多样化的设计需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Vishay Siliconix

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

IRFD113PBF

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

200pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

7nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

800 毫欧 @ 800mA, 10V

供应商器件封装

4-HVMDIP

功率-最大值

1W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

封装/外壳

4-DIP(0.300",7.62mm)

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

800mA (Tc)

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