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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFD113PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFD113PBF价格参考。VishayIRFD113PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFD113PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFD113PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRFD113PBF是一款N沟道功率MOSFET,主要应用于需要高效开关和低导通损耗的场景。以下是其典型应用场景: 1. 开关电源(SMPS): IRFD113PBF适用于各种开关电源设计,包括AC-DC和DC-DC转换器。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少功率损耗,提高转换效率。 2. 电机驱动: 该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,提供高效的开关控制。其快速开关速度和低功耗特性适合电机启动、停止及调速等操作。 3. 负载切换与保护: 在消费电子、工业设备或通信系统中,IRFD113PBF可作为负载切换开关,用于动态管理不同负载状态,同时提供过流保护功能。 4. 电池管理系统(BMS): 该MOSFET可用于电池组的充放电控制电路中,实现对电流的精确调节以及短路保护等功能。 5. 逆变器与UPS系统: IRFD113PBF在不间断电源(UPS)和逆变器中发挥关键作用,用于将直流电转换为交流电,支持高效能量传输。 6. LED驱动电路: 在高亮度LED照明应用中,这款MOSFET能够实现恒流驱动和调光控制,确保LED稳定工作并延长寿命。 7. 音频放大器: 作为音频功率放大器中的输出级开关元件,IRFD113PBF可以提供低失真性能和良好的热稳定性。 总之,IRFD113PBF凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于消费类电子产品、工业自动化、通信基础设施等领域,满足多样化的设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IRFD113PBF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 800 毫欧 @ 800mA, 10V |
| 供应商器件封装 | 4-HVMDIP |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 4-DIP(0.300",7.62mm) |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 800mA (Tc) |