【未分类_IRFD112】封装/厂家_IRFD112中文资料_价格

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型号： IRFD112
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFD112由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFD112价格参考。HarrisIRFD112封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRFD112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFD112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Harris Corporation（哈里斯公司）历史上曾涉足半导体业务，但其半导体部门于1998年被Intersil收购；而IRFD112实际由International Rectifier（国际整流器公司，后于2014年被英飞凌Infineon收购）设计生产，并非Harris自有型号。因此，“Harris Corporation品牌下的IRFD112”属于常见误认——Harris并未量产或标称该型号。

IRFD112是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用DIP-4（小外形直插式）封装，耐压100V，连续漏极电流约1.2A（Tc=25℃），具有低栅极电荷与快速开关特性。其典型应用场景包括：  
✅ 小功率开关电源中的同步整流或辅助绕组驱动；  
✅ 电机控制电路（如直流有刷电机的H桥低端开关、风扇调速）；  
✅ 微控制器（如PIC/AVR）直接驱动的负载接口，如继电器、LED灯组、电磁阀等中低电流负载；  
✅ 电池供电设备中的电源通断管理（如便携仪器、安防传感器模块）；  
✅ 模拟开关或脉冲调制（PWM）应用，得益于其纳秒级开关速度与低导通电阻（典型Rds(on)≈0.35Ω）。

需注意：IRFD112为通孔器件，适合原型开发与中小批量板级应用，但不适用于大电流或高频（>100kHz）主功率变换场景。设计时应确保栅极驱动电压≥10V以充分导通，并预留足够散热余量。

综上，该器件定位清晰——面向嵌入式系统、工业控制及消费电子中的中低功率、中低频开关需求，强调易用性与可靠性。

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