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  • 型号: IRFAC30
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFAC30由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFAC30价格参考。International RectifierIRFAC30封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFAC30参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFAC30 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRFAC30 是 International Rectifier(现属英飞凌 Infineon)推出的一款射频(RF)专用 N 沟道 MOSFET,采用陶瓷金属封装(如 TO-247 或类似高可靠性封装),专为高频、高功率射频放大应用优化。其典型应用场景包括:

1. HF/VHF/UHF 射频功率放大器:适用于 1.8–500 MHz 频段,常用于业余无线电(Ham Radio)、短波通信、车载/船载电台的末级功放(PA);  
2. 工业与医疗射频源:如等离子体发生器、RF 感应加热设备、磁共振(MRI)系统中的射频激励模块;  
3. 广播发射设备:中波(AM)或调频(FM)广播发射机的低至中功率输出级(典型连续波输出可达数十瓦,脉冲下更高);  
4. 雷达与电子对抗(EW)子系统:在中小功率固态雷达发射模块中作为开关或线性放大器件。

该器件具备高跨导、低输入电容、优良的热稳定性和抗二次击穿能力,支持 AB 类或 C 类放大工作模式。需配合匹配网络、高效散热(建议强制风冷或水冷)及稳定的栅极驱动电路使用。注意:IRFAC30 已停产多年,属经典器件,现多用于设备维护、替代升级或教学演示;新设计建议参考英飞凌当前 RF MOSFET 系列(如 AFGx、MRF 等)并重新仿真匹配。
产品参数 图文手册 常见问题
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