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  • 型号: IRF830R
  • 制造商: Harris
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF830R由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF830R价格参考。HarrisIRF830R封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF830R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF830R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRF830R 是由 International Rectifier(现属 Infineon Technologies)生产、曾被 Harris Corporation(哈里斯公司)在其部分电源或射频模块中采用的 N 沟道增强型功率 MOSFET,非 Harris 自研型号。需澄清:Harris Corporation 并非该器件的原始制造商,而是可能作为系统集成商在其军用/航天/通信设备中选用 IRF830R。

IRF830R 主要参数:耐压 500 V,连续漏极电流 4.5 A(Tc=25℃),Rds(on) 典型值 1.5 Ω,TO-220 封装,具备较快开关特性与一定雪崩耐量。

典型应用场景(中文):  
- 开关电源(SMPS):用于 AC-DC 适配器、工业电源的主开关管或PFC升压级,适用于中小功率(约50–150 W)场合;  
- 电机控制:驱动直流有刷电机或步进电机的H桥低频开关(非高频PWM),常见于办公设备、小型自动化装置;  
- 照明电子镇流器:在荧光灯/LED 驱动电路中作高频斩波开关;  
- 缓冲/保护电路:利用其雪崩能力设计过压钳位或继电器驱动的续流路径;  
- 军用/航天子系统:Harris 曾将其用于加固型通信终端、雷达供电模块等对可靠性要求较高的中压功率转换环节(需满足 MIL-PRF-19500 等筛选标准)。

注意:该型号已逐步被更高效、更低 Rds(on) 的新型 MOSFET(如 IRF830PbF 或 Infineon IPPxxN 系列)替代,新设计建议评估升级。
产品参数 图文手册 常见问题
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