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  • 型号: IRF822R
  • 制造商: Harris
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF822R由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF822R价格参考。HarrisIRF822R封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF822R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF822R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRF822R并非Harris Corporation(哈里斯公司)的产品,而是由International Rectifier(国际整流器公司,后于2014年被Infineon英飞凌收购)设计生产的N沟道增强型功率MOSFET。Harris Corporation主营通信、航空航天与国防电子系统(如雷达、加密设备、卫星通信),并不生产或销售分立功率半导体器件(如MOSFET)。因此,该型号与Harris Corporation无品牌归属关系,属常见误标或信息混淆。

IRF822R典型参数:耐压250V、连续漏极电流2.3A、Rds(on)约3Ω(Vgs=10V)、TO-220封装。其应用场景包括:中小功率开关电源(如AC-DC适配器、LED驱动电源)中的高频开关管;离线式反激变换器的主开关;电机控制电路(如小功率直流风机、步进电机驱动中的H桥低端开关);以及电池供电设备中的电源管理与负载开关等。

需注意:该器件已属较早期型号,目前主流厂商(如Infineon、ON Semi、ST)已推出性能更优(更低导通电阻、更快开关速度、更高可靠性)的替代品。实际选型中建议查阅最新官方数据手册,并确认供货状态与合规性(如RoHS、AEC-Q等,视应用而定)。
产品参数 图文手册 常见问题
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