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  • 型号: IRF822
  • 制造商: Harris
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF822由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF822价格参考。HarrisIRF822封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF822参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF822 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRF822 是由 International Rectifier(现属 Infineon Technologies)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,并非 Harris Corporation 的产品。Harris Corporation(哈里斯公司)历史上主营通信、国防电子与半导体(如模拟开关、接口器件等),但从未设计或量产 IRF822;该型号属于 IR(International Rectifier)经典“IRF”系列,广泛用于电源与功率控制领域。

IRF822 主要参数:耐压 150 V,连续漏极电流约 2.5 A(Tc=25°C),Rds(on) 典型值 0.8 Ω,TO-220 封装。其典型应用场景包括:

- 开关电源(SMPS):用作主开关管或同步整流辅助开关,适用于中小功率 AC/DC 或 DC/DC 变换器;
- 电机驱动:驱动小型直流电机、继电器或电磁阀等感性负载(需配续流二极管);
- 照明控制:LED 恒流驱动、调光电路中的 PWM 开关;
- 逆变器与电焊设备:作为中频逆变桥臂元件(需注意热设计与驱动能力);
- 工业控制模块:PLC 输出级、固态继电器(SSR)核心开关器件。

需注意:IRF822 属于早期平面工艺器件,开关速度与导通损耗不如新型超结或沟槽MOSFET,故不推荐用于高频(>100 kHz)或高效率要求场景。设计时应重视栅极驱动(避免振荡)、散热设计及雪崩耐量(数据手册标称单脉冲雪崩能量为 110 mJ)。

综上,IRF822 是一款通用型中压功率MOSFET,适用于成本敏感、中低频、中小功率的开关应用,但须确认其非 Harris 品牌产品,选型时建议优先参考 Infineon 官方资料。
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