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- 型号： IRF821
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF821由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF821价格参考。HarrisIRF821封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF821参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF821 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF821 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（由国际整流器公司 IR，现属英飞凌推出），采用 TO-220 封装，典型参数：VDS = 500 V，ID（连续）≈ 2.5 A，RDS(on) ≈ 3 Ω（VGS = 10 V），开关速度快、驱动简单。 其主要应用场景包括： 1. 中小功率开关电源：如AC-DC适配器、LED驱动电源中的主开关管（工作在几十kHz频率下）； 2. 电机控制：用于直流有刷电机的PWM调速电路（如小家电、电动工具、风扇控制器），适合中等电压/电流需求； 3. 继电器/电磁阀驱动：作为固态开关替代机械继电器，实现可靠通断控制； 4. 逆变与电子镇流器：在荧光灯电子镇流器或简易逆变器中作高频开关元件； 5. 保护电路：如过压/过流保护中的电子保险丝（配合检测与关断逻辑）。 需注意：IRF821 属于早期型号，RDS(on) 较高、热性能一般，不适用于大电流、高效率或高频（>100 kHz）场合；现代设计中常被更低导通电阻、更优SOA特性的型号（如IRF830、STP5NB50等）替代。实际应用中应确保栅极驱动电压≥10 V以充分导通，并配备适当散热与反向电压钳位（如续流二极管）以保护器件。
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