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  • 型号: IRF6802SDTR1PBF
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6802SDTR1PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6802SDTR1PBF价格参考。International RectifierIRF6802SDTR1PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF6802SDTR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF6802SDTR1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌)的型号为IRF6802SDTR1PBF的器件属于晶体管中的MOSFET阵列,具体为双N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻和高效率,适用于多种功率管理和电源转换应用。

该器件的主要应用场景包括:

1. DC-DC转换器:用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的电源模块,提供高效能的电压调节。

2. 负载开关和电源管理:在电池供电设备中用于控制电源通断,提高系统能效并延长电池寿命。

3. 电机控制:适用于小型电机驱动器,如电动工具、风扇和家用电器中的电机控制电路。

4. 同步整流:在隔离式和非隔离式电源中替代传统二极管,提升转换效率。

5. 热插拔电路和ORing应用:用于服务器和网络设备中,实现电源冗余和安全热插拔功能。

该器件采用小型DFN封装,适合高密度PCB布局,广泛应用于工业控制、通信电源、消费电子和汽车电子等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET 2N-CH 25V 16A SA

产品分类

FET - 阵列

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

品牌

International Rectifier

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产品型号

IRF6802SDTR1PBF

PCN其它

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PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

HEXFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.1V @ 35µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1350pF @ 13V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

13nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.2 毫欧 @ 16A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

供应商器件封装

DIRECTFET™ SA

其它名称

IRF6802SDTR1PBFDKR

功率-最大值

1.7W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

DirectFET™ 等容 SA

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

16A

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