【未分类_IRF630BTSTU】封装/厂家_IRF630BTSTU中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： IRF630BTSTU
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF630BTSTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF630BTSTU价格参考。Fairchild SemiconductorIRF630BTSTU封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRF630BTSTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF630BTSTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRF630BTSTU 是安森美（ON Semiconductor）推出的双N沟道增强型MOSFET阵列（采用SOT-23-6封装），具有低导通电阻（Rds(on)典型值约1.2Ω @ Vgs=10V）、快速开关特性及集成双管结构。其典型应用场景包括：

1. 小型DC-DC电源转换：适用于便携式设备（如TWS耳机充电仓、智能手表电源管理）中的同步整流或负载开关，双MOSFET可分别控制高低侧或并联提升电流能力。

2. 电池保护与充放电管理：在单节锂离子/聚合物电池系统中，用于过流/短路保护电路的充放电路径控制（如配合保护IC实现双向开关功能）。

3. LED驱动与背光控制：用于中小功率LED恒流驱动的PWM调光开关，双通道便于多路独立控制或冗余设计。

4. 逻辑电平转换与接口驱动：在MCU GPIO驱动能力不足时，作为缓冲/电平移位器件，驱动继电器、小功率电机或传感器模块。

5. 空间受限的消费类电子：得益于SOT-23-6小尺寸封装，广泛用于无线充电接收端、IoT传感器节点、USB-C接口保护等对PCB面积敏感的应用。

注意：该器件额定电压200V、连续漏极电流0.3A（单管），不适用于高功率主开关场景；实际应用需注意散热设计及栅极驱动匹配（推荐Vgs ≥ 4.5V以确保充分导通）。

产品参数图文手册常见问题