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- 型号： IRF612
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF612由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF612价格参考。HarrisIRF612封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF612参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF612 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Harris Corporation（哈里斯公司）曾是美国知名国防与通信技术企业，但IRF612并非Harris Corporation生产的产品。该型号实际由International Rectifier（国际整流器公司，现已被英飞凌Infineon收购）设计制造，属于N沟道增强型功率MOSFET。 IRF612主要参数：耐压VDSS = 100V，连续漏极电流ID = 3.3A（TC=25℃），RDS(on)典型值约1.5Ω，采用TO-220封装。其特点为驱动简单、开关速度中等、成本较低，适用于中低功率、非高频严苛场景。 典型应用场景包括： - 直流电机控制（如小型风扇、玩具车、办公设备驱动）； - 开关电源次级侧同步整流或辅助电源开关（如AC-DC适配器、LED驱动电源中的低压侧开关）； - 继电器/电磁阀驱动电路（作为功率开关替代机械触点）； - 电池供电设备的电源通断管理（如便携仪器、安防传感器的负载控制）； - 教学与原型开发（因参数适中、易用性强，常用于电子实训与DIY项目）。 需注意：IRF612已属成熟期/逐步淘汰型号（PDN已发布），新设计建议评估英飞凌或ST等厂商的兼容替代品（如IRFZ44N、STP36NF20等），以确保长期供货与性能优化。Harris Corporation未涉足通用功率MOSFET制造，其核心业务聚焦于通信、电子战与航天系统。
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