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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRF512
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF512由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF512价格参考。HarrisIRF512封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF512参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF512 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF512 是由 International Rectifier（现属 Infineon Technologies）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，并非 Harris Corporation 的产品。Harris Corporation（哈里斯公司）历史上主营通信、国防电子、半导体（如模拟/混合信号IC、FPGA、射频器件等），但从未设计或量产 IRF512 这类功率MOSFET；该型号属于 IR（International Rectifier）经典“IRF”系列，广泛见于其1980–2000年代数据手册中。 IRF512 主要参数：VDS=100V，ID=4.5A（连续），RDS(on)≈1.2Ω（典型值），TO-220 封装。其典型应用场景包括： - 中小功率开关电源：如AC-DC适配器、DC-DC转换器中的主开关管（适用于几十瓦级）； - 电机驱动电路：用于直流有刷电机的PWM调速（如小型风扇、玩具、办公设备）； - 继电器/电磁阀驱动：作为固态开关替代机械触点，提升可靠性； - 电池供电设备保护电路：如过流/反接保护中的控制开关； - 教学与实验平台：因参数适中、易于驱动、成本低廉，常用于电子技术课程实训。 需注意：IRF512 已属成熟停产型号（被更高效、低导通电阻的新型号如 IRFZ44N、IRLZ44N 等替代），新设计建议选用符合RoHS、具备更好热性能及驱动特性的现代替代品，并核实供货状态。设计时应关注其栅极驱动电压（推荐10V）、散热需求及雪崩耐量限制。
产品参数
图文手册
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